Les composantes éléctroniques de base (3/-Les transistors)

Basé sur le même effet semi-conducteur que celui obtenu avec la diode,(on considère d'ailleurs parfois qu'un transitor est une double diode dont la base serait la cathode commune, et le collecteur ainsi que l'emetteur, les anodes )
le transistor comporte deux jonction NP ou PN accolées. Cette formule donne des transistor NPN ou PNP. ( alimentés en tension de façon inverse )
L'effet transistor est obtenu grâce a la polarisation de la jonction placée entre émetteur et base qui commande la jonction située entre émetteur et collecteur. Le transistor est composé de 3 connections :
L'émetteur ( relié au moins sur un NPN et au + sur un PNP )
Le collecteur ( relié à un potentiel positif sur un NPN et au - sur un PNP ) La base qui sert de commande ( reliée à une tension variable, selon qu'on désire que le transistor soit passant ou bloquant ).
Les tensions sont donc inversées sur un transistor PNP.
En gros, un transistor agit en tout ou rien comme un interrupteur. Commandé par un faible courant de base, il laisse passer un fort courant entre émetteur et collecteur ( transistor de commutation ). Ou bien, il se comporte en amplificateur de signal avec un gain en courant pouvant varier entre 10 et 600 . (on place un courant faible sur la base, qui est amplifié et recueilli sur le collecteur ou eventuellement l'emetteur ...)
A titre d'exemple, imaginons un transistor monté en emetteur commun et alimenté de façon classique. Si son gain ( hfe designé par la lettre grecque Béta ) est de 100 et qu' il recoit 0,05 milliampère sur sa base (Ib), il aura en sortie sur son collecteur 5 milliampère (Ic); soit 0,05 x 100 = 5ma.
La regle est donc: hfe =Ic/Ib

Un transistor comporte ...
une Base: entrée du signal
un Collecteur: sortie du signal amplifié
un Emetteur: relié à la masse en principe

Les transistors à effet de champs:
Il existe aussi des transistors à effet de champs ( MOS, FET ou UJT ).
Ce type de transistor, présente l'avantage de consommer très peu de courant et d'avoir une très haute impédance d'entrée, ce qui permet de les utiliser individuellement dans quelques cas particuliers, mais aussi en grand nombre dans les circuits intégrés.
Un FET comporte un drain relié au potentiel positif et une source au potentiel négatif . Une tension négative est aussi appliquée entre la source et la grille, afin de commander le courant de sortie qui est récupéré sur le drain..